?一、按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類(lèi)?：
1.半控型器件，例如晶閘管;
2.全控型器件，例如GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管)，MOSFET(電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管);
3.不可控器件，例如電力二極管;
二、按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類(lèi)：
1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管);
2.電流驅(qū)動(dòng)型器件，例如晶閘管、GTO、GTR;
三、根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類(lèi)：
1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管、GTO;
2.電子控制型，例如GTR、MOSFET、IGBT;
按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類(lèi)：
1.單極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR;
2.雙極型器件，例如MOSFET、IGBT;
3.復(fù)合型器件，例如MCT(MOS控制晶閘管)。

電力電子器件的損耗主要包括有開(kāi)通、關(guān)斷、通態(tài)損耗。
在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態(tài)損耗，而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為開(kāi)關(guān)損耗。另外，si的二極管有反向恢復(fù)損耗，sic SBD沒(méi)有二極管的反向恢復(fù)損耗。在zvs的時(shí)候沒(méi)有開(kāi)通損耗，zcs的時(shí)候沒(méi)有關(guān)斷損耗。其中一般的器件來(lái)說(shuō)關(guān)斷損耗最大，通態(tài)損耗其次，開(kāi)通損耗最小，這個(gè)是由于關(guān)斷慢時(shí)間長(zhǎng)，開(kāi)通快，IV積分損耗小，通態(tài)損耗為rds,on和電流的平方，隨溫度變化會(huì)增大。
電子器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)損耗就小是相對(duì)而言的，開(kāi)關(guān)狀態(tài)的晶體管飽和導(dǎo)通，壓降很小，耗電也就很小。放大狀態(tài)的晶體管壓降很高，耗電也就很多。電子開(kāi)關(guān)的消耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于接觸器，但是它的開(kāi)關(guān)速度很快。

1、電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠；
2、晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中最高
3、IGBT：開(kāi)關(guān)速度高，開(kāi)關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率??；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO
4、GTR：耐壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低，為電流驅(qū)動(dòng)，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，存在二次擊穿問(wèn)題
5、GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場(chǎng)合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時(shí)門(mén)極負(fù)脈沖電流大，開(kāi)關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低
6、MOSFET：開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高，不存在二次擊穿問(wèn)題；缺點(diǎn)：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。
7、制約因素：耐壓，電流容量，開(kāi)關(guān)的速度。